Posgrado: | Electrónica y Telecomunicaciones |
Nivel: | Doctorado en Ciencias |
Matrícula: | 24142328 |
País de origen: | México |
Título de tesis: Caracterización de transistores GaN HEMT orientado al diseño de amplificadores de potencia mediante simulación ECAD
Fecha de defensa: Fecha por confirmar
Líneas de generación y aplicación: Altas Frecuencias
Comité:
J. Apolinar Reynoso Hernández - Director
Jaime Sánchez García - Miembro de comité
Salvador Villarreal Reyes - Miembro de comité
Manuel Alejandro Pulido Gaytán - Miembro de comité
José Raúl Loo Yau - Miembro de comité
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